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MIM二极体使用量子穿隧技术，它可让电子从一个金属电极跳转到另一金属电极，而不致于干扰到中间的绝缘层，因而能够降低功耗与热。然而，目前在这方面的研究发展进度一直很缓慢。
现在，美国奥勒冈州立大学(OSU)的研究人员们声称，透过在MIM结构上增加第二绝缘层形成MIIM结构，可望增强这项技术，使其得以用于解决MIM元件的问题，并进一步推动这项技术迈向主流。
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Conley的研究采用了两个绝缘层──氧化铪、氧化铝，实现了他所谓的「步进穿隧」(steptunnelling)技术，能够更精确地控制二极体的不对称性，从而能在低电压时调整元件性能。
Conley认为这种新的MIIM元件可用于改善目前普遍使用的各种电子设备，从液晶显示器(LCD)到手机与电视，以及新一代的设备，如可将辐射热转换为电力的红外线太阳能电池。
本文采编：CY
