在海外对国内半导体产业发展日益严格的限制下，举国体制强化国家战略科技力量，有望为国内半导体行业发展注入强劲动能，半导体领域的国产替代有望在国家的大力支持下快速发展。
第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更为出色，在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体，待成本下降有望实现全面替代。
与硅基MOSFET、IGBT相比，SiCMOSFET在开关效率、损耗、尺寸、频率、体积等指标上都更具有优势。相同规格SiCMOSFET和Si MOSFET相比，体积甚至能够缩小1/10，导通电阻缩至1/200，相同规格SiC-MOSFET和Si-IGBT相比，能量损失小于1/4.在SiC产品性能占据全面优势的背景下，以国内外传统功率大厂为主的各家企业均开始加速布局SiC产品，国内外市场将迎来群雄并起的市场格局。
目前，虽然国外企业在技术、产能等方面具有先发优势，但SiC行业发展历史相对较短，国内外差距相对较小，在需求高涨的背景下，国内企业有望加速实现国产替代。
海外龙头企业具备先发优势，在产品及产能方面短期领先于国内。但整体来看，SiC产业发展历史相对较短，国内企业有望实现弯道超车。
公司从事于掩膜版的研发、设计、制造和销售业务，是中国大陆成立最早、规模最大的掩膜版厂商之一。公司通过提升半导体芯片掩膜版的产能以及缩短交付周期，优化产品结构，提高细分市场的市占率。与此同时，国内一家半导体芯片掩膜版保护膜的主要供应商受疫情影响停产，给国内供应链带来负面影响。半导体芯片掩膜版业务的增速暂受产能的限制，预计以上短期负面因素缓解之后，公司产能将大幅增长，有望快速提高细分市场占有率。
公司是国内唯一一家可覆盖G2.5-G11全世代产线的厂商。根据公司招股书，目前我国90nm及以下制程的IC掩膜版依赖进口，而国内已投产以及在建的90nm及以下的晶圆产线达到30条，国产替代空间巨大。公司已实现250nm IC掩膜版量产，满足先进IC封装、IC器件、先进指纹模组封装、高精度蓝宝石衬底(PSS)等产品应用。公司已掌握180nm/150nm IC掩膜版制造核心技术，现有的IC掩膜版制造技术覆盖第三代半导体相关产品。
公司是国内从事相控阵T/R芯片研制的主要企业，是国内少数能够提供相控阵T/R芯片完整解决方案的企业之一。随着卫星物联网的建设推进，公司星载相控阵T/R芯片有望持续快速增长。公司的T/R芯片还是相控阵雷达的核心元器件之一，相控阵雷达正逐步对传统机械扫描雷达进行替代，市场空间不断增大，公司雷达用相控阵T/R芯片有着较大的增长空间。
公司在半导体相关业务领域不断拓展，从高纯工艺系统到湿法工艺设备。2021年以来合肥晶圆再生项目已正式量产爬坡，合肥布局晶圆再生及部件清洗项目是国内首条投产的12英寸晶圆再生产线，部件清洗项目为国内首条设立完整的阳极产线，年产168万片晶圆再生和120万件半导体零部件再生产能。公司已形成围绕半导体产业的设备、材料、工艺三位一体的战略布局。
